एसी डीसी हाफ वेव फ्लोरोसेंट मैग्नेटिक पार्टिकल फ्लॉ डिटेक्शन मशीन

जब एक लौहचुंबकीय कार्य टुकड़ा एक चुंबकीय क्षेत्र में रखा जाता है, चुंबकीय क्षेत्र की रेखाएं कार्य टुकड़े की ओर और उसके माध्यम से निर्देशित कर रहे हैं।चुंबकीय क्षेत्र की रेखाएं निरंतर नहीं होंगी और वे वर्कपीस की सतह को भर देंगी, इस प्रकार दरार के दोनों ओर चुंबकीय ध्रुवों का उत्पादन। दोषपूर्ण workpiece की सतह पर चुंबकीय पाउडर (या चुंबकीय निलंबन) स्प्रे,और चुंबकीय पाउडर दरार पर एक स्पष्ट रूप से दिखाई लाइन का गठन करेगा (चित्र 1)चुंबकीय पाउडर का रंग चुनिंदा किया जाना चाहिए ताकि कार्य टुकड़े की सतह के साथ जितना संभव हो उतना अधिक विपरीत हो।जो दोषों को मानव आंखों द्वारा आसानी से देखा जा सके (इस उपकरण में फ्लोरोसेंट चुंबकीय पाउडर का प्रयोग किया जाता है)यह चुंबकीय कण परीक्षण का मूलभूत परीक्षण सिद्धांत है।

1. बिजली की आपूर्तिः तीन चरण पांच तार 50Hz 380V±10% 160KVA (अधिकतम तत्काल);
2. चुंबकीयकरण विधि: परिधि, अनुदैर्ध्य, मिश्रित चुंबकीयकरण;
3. परिधि चुंबकीय करंटः AC: 0-8000A, निरंतर समायोज्य; पावर-आउट चरण नियंत्रण समारोह के साथ। DC: 0~4000A आधा तरंग औसत, निरंतर समायोज्य;
4. अनुदैर्ध्य चुंबकीय करंटः AC: 0-16000AT, निरंतर समायोज्य; पावर-आउट चरण नियंत्रण समारोह DC: 0-8000AT, निरंतर समायोज्य; पावर-आउट चरण नियंत्रण समारोह के साथ
5. कॉइल का आंतरिक व्यास: Φ350 मिमी
6. पता लगाने योग्य वर्कपीस की लंबाईः 4000 मिमी;
7. पता लगाने योग्य वर्कपीस का व्यासः ¥250 मिमी;
8. संवेदनशीलता: प्रक्रिया विनिर्देश JB/6965-92 "चुंबकीय कण दोष पता लगाने वाली मशीनों के लिए मानक परीक्षण टुकड़े" के अनुसार चुंबकीय।पूर्ण सर्कल और प्रकार ए संवेदनशीलता परीक्षण टुकड़ा 2# (15/50) स्पष्ट रूप से प्रदर्शित किया जा सकता है;
9. चालू कार्य चक्रः पूर्ण भार पर 25% से कम नहीं;
10. वर्कपीस की सतह पर चुंबकीय क्षेत्र की तीव्रताः ≥2400A/m;
11. काम करने वाले टुकड़े की क्लैंपिंग रोटेशन मोडः इलेक्ट्रिक;
12. पूंछ इलेक्ट्रोड आंदोलन मोडः विद्युत
13. इलेक्ट्रोड क्लैंपिंग विधिः वायवीय;
14. कार्य मोडः मैनुअल और स्वचालित;
15. लोडिंग और अनलोडिंग की विधिः मैनुअल
16. वायु स्रोत दबावः 0.4-0.6Mpa;
17. डीमैग्नेटाइजेशन विधिः परिधि और अनुदैर्ध्य स्वचालित कमजोरी डीमैग्नेटाइजेशन, जो सुविधाजनक और तेज़ है;
18. डीमैग्नेटाइजेशन प्रभावः अवशिष्ट चुंबकत्व ≤ 0.2mT (3Oe);
19. पराबैंगनी रोशनीः प्रकाश स्रोत से 380 मिमी की दूरी पर ≥4500uw/cm2